Транзистор MTB12N04J3
MTB12N04J3 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 50 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 40 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 30 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0108 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 11 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 180 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор MTB12N04J3 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AOD2610 |
SMD |
N |
71.5 |
60 |
20 |
2.5 |
46 |
0.0107 |
- |
3.5 |
177 |
175 |
TO-252 |
| AOT2610L |
PTH |
N |
75 |
60 |
20 |
2.5 |
55 |
0.0107 |
- |
3.5 |
177 |
175 |
TO-220 |
| CSD18534KCS |
PTH |
N |
107 |
60 |
20 |
2.3 |
100 |
0.0095 |
9.3 |
4.8 |
164 |
175 |
TO-220 |