Транзистор MTB13N03Q8
MTB13N03Q8 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOP-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 3 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 11 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.011 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 8 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 255 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор MTB13N03Q8 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AOL1448 |
SMD |
N |
30 |
30 |
20 |
2.2 |
36 |
0.0095 |
- |
3 |
240 |
175 |
UltraSO-8 |
| AP9408GM-HF |
SMD |
N |
3 |
30 |
20 |
- |
13.3 |
0.01 |
- |
6 |
210 |
175 |
SO-11 |
| MTB12N03Q8 |
SMD |
N |
3 |
30 |
20 |
- |
12 |
0.0097 |
- |
6 |
190 |
175 |
SOP-8 |