Транзистор MTB25P04V8

MTB25P04V8 - Транзистор полевой MOSFET структуры P

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: DFN3X3

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 21 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 40 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 27 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.013 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 40 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 7 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 222 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор MTB25P04V8 можно заменить на:

Нет элементов для замены