Транзистор MTB30N06Q8
MTB30N06Q8 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOP-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 3.1 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 8 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.025 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 7.5 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 58 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор MTB30N06Q8 можно заменить на:
Нет элементов для замены