Транзистор MTB30P06VT4G
MTB30P06VT4G - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: D2PAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 125 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 15 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 30 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.08 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 25.9 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 524 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор MTB30P06VT4G можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| MTB30P06VT4 |
SMD |
P |
125 |
60 |
15 |
4 |
30 |
0.08 |
- |
25.9 |
524 |
175 |
D2PAK |