Транзистор MTB35N04J3
MTB35N04J3 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 36 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 40 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 12 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.03 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 7.5 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 84 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор MTB35N04J3 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AOD454A |
SMD |
N |
37 |
40 |
20 |
3 |
20 |
0.03 |
- |
3.6 |
82 |
175 |
TO-252 |
| MTB25N04J3 |
SMD |
N |
36 |
40 |
20 |
- |
29 |
0.02 |
- |
5 |
51 |
175 |
TO-252 |