Транзистор MTB45P03Q8
MTB45P03Q8 - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOP-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 3 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 6 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.037 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 10 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 500 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор MTB45P03Q8 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| MTP4835L3 |
SMD |
P |
3.3 |
30 |
25 |
- |
13 |
0.021 |
251 |
5 |
141 |
175 |
SOT-223 |
| SQ4435EY |
SMD |
P |
6.8 |
30 |
20 |
2.5 |
15 |
0.018 |
38.3 |
9 |
392 |
175 |
SO-8 |