Транзистор MTB4D0N03ATV8
MTB4D0N03ATV8 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DFN3X3
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 21 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 15 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0047 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 11 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 299 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор MTB4D0N03ATV8 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AON7422G |
SMD |
N |
28 |
30 |
20 |
2.4 |
32 |
0.0046 |
- |
11 |
240 |
150 |
DFN3X3 |
| AON7568 |
SMD |
N |
28 |
30 |
20 |
2.4 |
32 |
0.0046 |
- |
10.5 |
245 |
150 |
DFN3X3 |
| RJK03M4DPA |
SMD |
N |
30 |
30 |
20 |
- |
35 |
0.0046 |
12 |
2.4 |
260 |
150 |
WPAK |
| SK840317L |
SMD |
N |
24.6 |
30 |
20 |
3 |
16 |
0.0041 |
17 |
10 |
250 |
150 |
HSSO8-F1-B |