Транзистор MTB60P15H8

MTB60P15H8 - Транзистор полевой MOSFET структуры P

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: DFN5X6

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 100 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 150 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 23 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.07 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: -
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 35 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 245 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор MTB60P15H8 можно заменить на:

Нет элементов для замены