Транзистор MTBA5N10J3

MTBA5N10J3 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: TO-252

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 35 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 10 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.13 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: -
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 4.5 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 31 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор MTBA5N10J3 можно заменить на:

Нет элементов для замены