Транзистор MTBA5N10V8
MTBA5N10V8 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DFN3X3
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 18 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 7 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.133 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 4.5 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 30 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор MTBA5N10V8 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AOD4286 |
SMD |
N |
30 |
100 |
20 |
2.9 |
14 |
0.068 |
- |
2.5 |
30 |
175 |
TO-252 |
| AOI4286 |
PTH |
N |
30 |
100 |
20 |
2.9 |
14 |
0.068 |
- |
2.5 |
30 |
175 |
TO-251A |