Транзистор MTD30N10Q8
MTD30N10Q8 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOP-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 3.1 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 6 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.033 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 7 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 104 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор MTD30N10Q8 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AO4292 |
SMD |
N |
3.1 |
100 |
20 |
2.7 |
8 |
0.023 |
- |
3 |
95 |
150 |
SO-8 |
| AON7292 |
SMD |
N |
28 |
100 |
20 |
2.6 |
23 |
0.024 |
- |
3 |
90 |
150 |
DFN3.3X3.3 |