Транзистор MTE1K8N25KM3

MTE1K8N25KM3 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: SOT-89
• SMD-код: E1K8

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 250 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 1 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.33 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: -
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 11 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 16 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор MTE1K8N25KM3 можно заменить на:

Нет элементов для замены