Транзистор MTEA2N15Q8
MTEA2N15Q8 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOP-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 150 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.122 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 12 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 58 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор MTEA2N15Q8 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| HY18N20D |
SMD |
N |
48 |
200 |
30 |
3 |
18 |
0.092 |
- |
8.6 |
55 |
150 |
TO-252 |
| IPA65R095C7 |
PTH |
N |
34 |
650 |
20 |
4 |
12 |
0.095 |
- |
12 |
33 |
150 |
TO-220F |