Транзистор MTEE2N20J3
MTEE2N20J3 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 36 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 4.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.59 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 16 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 25 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор MTEE2N20J3 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| TK9P65W |
SMD |
N |
80 |
650 |
30 |
3.5 |
9.3 |
0.56 |
20 |
16 |
20 |
150 |
DPAK |
| TK9Q65W |
PTH |
N |
80 |
650 |
30 |
3.5 |
9.3 |
0.56 |
20 |
16 |
20 |
150 |
IPAK |