Транзистор MTEF1P15N6

MTEF1P15N6 - Транзистор полевой MOSFET структуры P

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: SOT-26

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 3.2 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 150 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 1.4 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.661 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: -
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 6 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 28 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор MTEF1P15N6 можно заменить на:

Нет элементов для замены