Транзистор MTF50P02J3
MTF50P02J3 - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 30 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 12 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 10 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.051 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 35 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 102 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор MTF50P02J3 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AOD413A |
SMD |
P |
50 |
40 |
20 |
3 |
12 |
0.044 |
- |
8.4 |
97 |
175 |
TO-252 |
| RU20P18L |
SMD |
P |
30 |
20 |
12 |
1 |
18 |
0.04 |
- |
11 |
90 |
175 |
TO-252 |