Транзистор MTN2306N3
MTN2306N3 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-23
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.38 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 4.8 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.035 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 3.7 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 46 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор MTN2306N3 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AO3404 |
SMD |
N |
1.4 |
30 |
20 |
2.4 |
5 |
0.031 |
- |
2.5 |
45 |
150 |
SOT-23 |
| AO4772 |
SMD |
N |
2 |
30 |
20 |
2.4 |
6 |
0.03 |
- |
2.5 |
45 |
150 |
SOIC-8 |
| MTB55N03N3 |
SMD |
N |
1.38 |
30 |
20 |
- |
4.8 |
0.035 |
- |
3.7 |
46 |
150 |
SOT-23 |