Транзистор MTN2572H8
MTN2572H8 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DFN5X6
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 94 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 150 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 32 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.036 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 12 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 225 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор MTN2572H8 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| MTN2572FP |
PTH |
N |
125 |
150 |
30 |
- |
48 |
0.034 |
- |
12 |
225 |
175 |
TO-220FP |
| MTN2572J3 |
SMD |
N |
125 |
150 |
30 |
- |
36 |
0.033 |
- |
12 |
225 |
175 |
TO-252 |