Транзистор MTN3484J3
MTN3484J3 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 44 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 16 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.1 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 7 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 61.3 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор MTN3484J3 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AOB256L |
SMD |
N |
83 |
150 |
20 |
2.8 |
19 |
0.085 |
- |
5 |
61.5 |
175 |
TO-263 |
| AOD256 |
SMD |
N |
83 |
150 |
20 |
2.8 |
19 |
0.085 |
- |
5 |
61.5 |
175 |
TO-252 |
| IPL65R070C7 |
SMD |
N |
169 |
650 |
20 |
4 |
28 |
0.07 |
- |
6 |
48 |
150 |
ThinPAK8X8 |
| IPL65R099C7 |
SMD |
N |
128 |
650 |
20 |
4 |
21 |
0.099 |
- |
5 |
33 |
150 |
ThinPAK8X8 |
| IPZ60R099C7 |
PTH |
N |
110 |
600 |
20 |
4 |
22 |
0.099 |
- |
6 |
33 |
150 |
TO-247-4 |
| IPZ65R065C7 |
PTH |
N |
171 |
650 |
20 |
4 |
33 |
0.065 |
- |
7 |
48 |
150 |
TO-247-4 |
| SM1A28NSUB |
PTH |
N |
50 |
100 |
30 |
- |
17 |
0.076 |
- |
5 |
60 |
150 |
TO-251 |
| SM1A30NSU |
SMD |
N |
50 |
100 |
20 |
- |
18 |
0.07 |
- |
7 |
60 |
150 |
TO-252 |