Транзистор MTP1013C3
MTP1013C3 - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-523
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.28 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 8 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.63 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 6 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 21 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор MTP1013C3 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| PMZ320UPE |
SMD |
P |
0.35 |
30 |
8 |
0.95 |
1 |
0.51 |
1.4 |
6 |
11 |
150 |
DFN1006-3 |
| PMZB320UPE |
SMD |
P |
0.35 |
30 |
8 |
0.95 |
1 |
0.51 |
1.4 |
6 |
11 |
150 |
DFN1006B-3 |