Транзистор MTP1406J3
MTP1406J3 - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 33 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 10 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.082 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 12 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 665 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор MTP1406J3 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM30P06-40D |
SMD |
P |
50 |
60 |
20 |
1 |
29 |
0.04 |
29 |
7 |
181 |
175 |
TO-252 |
| AM90P06-20P |
PTH |
P |
300 |
60 |
20 |
1 |
90 |
0.02 |
22 |
9 |
216 |
175 |
TO-220AB |
| AM90P06-70PCFM |
PTH |
P |
300 |
60 |
20 |
1 |
54 |
0.07 |
29 |
7 |
181 |
175 |
TO-220CFM |
| CEB35P10 |
SMD |
P |
125 |
100 |
20 |
- |
32 |
0.076 |
74 |
7 |
335 |
175 |
TO-263 |
| CEP35P10 |
PTH |
P |
125 |
100 |
20 |
- |
32 |
0.076 |
74 |
7 |
335 |
175 |
TO-220 |
| SQD19P06-60L |
SMD |
P |
46 |
60 |
20 |
2.5 |
20 |
0.055 |
27 |
9 |
160 |
175 |
TO-252 |
| SQD40P10-40L |
SMD |
P |
136 |
100 |
20 |
2.5 |
38 |
0.04 |
96 |
11 |
301 |
175 |
TO-252 |
| SQD50P08-25L |
SMD |
P |
136 |
80 |
20 |
2.5 |
50 |
0.025 |
91 |
11 |
356 |
175 |
TO-252 |
| SQD50P08-28 |
SMD |
P |
136 |
80 |
20 |
3.5 |
48 |
0.028 |
95 |
11 |
343 |
175 |
TO-252 |
| SQM40P10-40L |
SMD |
P |
150 |
100 |
20 |
2.5 |
40 |
0.04 |
- |
10 |
314 |
175 |
TO-263 |
| SQM50P08-25L |
SMD |
P |
150 |
80 |
20 |
2.5 |
50 |
0.025 |
- |
11 |
356 |
175 |
TO-263 |