Справочник электронных компонентов

Транзистор MTP2317N3

MTP2317N3 - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: SOT-23

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.38 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 12 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 5.8 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.028 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 18 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 159 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор MTP2317N3 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AP2616GY-HF	SMD	P	2	30	20	-	7.4	0.024	-	7	125	150	SOT-26
MTP2402Q8	SMD	P	3.1	20	12	-	8.3	0.022	-	15	159	150	SOP-8
MTP4835L3	SMD	P	3.3	30	25	-	13	0.021	251	5	141	175	SOT-223
MTP6405N6	SMD	P	3.2	30	20	-	8.2	0.024	-	7	143	150	SOT-26
MTP9435BDYAQ8	SMD	P	2.5	30	20	-	8.4	0.023	-	7	143	150	SOP-8
MTP9435BDYQ8	SMD	P	2.5	30	20	-	8.4	0.022	-	7	143	150	SOP-8
PB555BA	SMD	P	2.7	30	20	-	8	0.025	-	18	133	150	PDFN2X2S
PV551BA	SMD	P	3	30	25	-	9	0.02	-	17	150	150	SOP-8
SM3201PSQA	SMD	P	2.5	30	20	-	7.9	0.027	-	8	150	150	DFN3X2-8
SM4310PSK	SMD	P	3.1	30	20	-	9.3	0.024	-	8	150	150	SOP-8