Справочник электронных компонентов

Транзистор MTP2603N6

MTP2603N6 - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: SOT-26

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 8 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 5 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.053 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 3.6 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 167 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор MTP2603N6 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AO4403	SMD	P	3.1	30	12	1.3	6	0.048	-	3.5	80	150	SO-8
AO6401	SMD	P	2	30	12	1.3	5	0.047	-	3.5	80	150	TSOP-6
AO6401A	SMD	P	2	30	12	1.3	5	0.047	-	3.5	80	150	TSOP-6
AP2603GY	SMD	P	2	20	12	1.2	5	0.053	-	3.6	167	150	SOT-26
MMP9567	SMD	P	2.5	40	25	3	6	0.05	7.49	3.56	104.6	150	SO-8
MTP2603Q6	SMD	P	2	20	12	-	5	0.053	-	3.6	167	150	TSOP-6
MTP452M3	SMD	P	2	30	20	-	5.3	0.05	-	3	55	150	SOT-89
SSM2603GY	SMD	P	2	20	12	1.2	5	0.053	10.6	3.6	167	150	SOT-26