Транзистор MTP3J15N3
MTP3J15N3 - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-23
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.225 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 50 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.13 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 5 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 2 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 7 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор MTP3J15N3 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| BSS84KS3 |
SMD |
P |
0.35 |
50 |
20 |
- |
0.17 |
5 |
- |
2 |
7 |
150 |
SOT-323 |