Транзистор MTP3LP01N3
MTP3LP01N3 - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-23
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.25 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 10 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.23 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 3 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 12.8 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 11.9 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор MTP3LP01N3 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM1963PE |
SMD |
P |
0.34 |
60 |
20 |
1 |
0.57 |
0.7 |
1.1 |
5 |
11 |
150 |
SC-70 |
| AM2359PE |
SMD |
P |
1.3 |
60 |
20 |
1 |
1.2 |
0.7 |
1.1 |
5 |
11 |
150 |
SOT-23 |