Транзистор MTP5210F3

MTP5210F3 - Транзистор полевой MOSFET структуры P

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: TO-263

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 100 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 34 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.037 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 148 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 13 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 234 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор MTP5210F3 можно заменить на:

Нет элементов для замены