Справочник электронных компонентов

Транзистор MTW32N20E

MTW32N20E - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-247-3

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 180 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 32 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.064 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 85 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор MTW32N20E можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
IXTK62N25	PTH	N	390	250	20	4	62	0.035	67	-	-	150	TO-264
STB75N20	SMD	N	190	200	20	4	75	0.034	84	33	640	150	D2PAK
STB75NF20	SMD	N	190	200	20	4	75	0.034	84	-	-	150	D2PAK
STP75N20	PTH	N	190	200	20	4	75	0.034	84	33	640	150	TO-220
STP75NF20	PTH	N	190	200	20	4	75	0.034	84	-	-	150	TO-220
STW75N20	PTH	N	190	200	20	4	75	0.034	84	33	640	150	TO-247
STW75NF20	PTH	N	190	200	20	4	75	0.034	84	-	-	150	TO-247