Транзистор MXP6006DT
MXP6006DT - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-220
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 158 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 115 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.006 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 43 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 534 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор MXP6006DT можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CEB6036 |
SMD |
N |
167 |
60 |
20 |
- |
135 |
0.0046 |
138 |
23 |
450 |
175 |
TO-263 |
| CEP6036 |
PTH |
N |
167 |
60 |
20 |
- |
135 |
0.0046 |
- |
23 |
450 |
175 |
TO-220 |
| MXP6006DF |
SMD |
N |
158 |
60 |
20 |
- |
115 |
0.006 |
- |
43 |
534 |
175 |
TO-263 |
| MXP6006DP |
SMD |
N |
158 |
60 |
20 |
- |
115 |
0.006 |
- |
43 |
534 |
175 |
PowerSO-8 |
| RU60100R |
PTH |
N |
188 |
60 |
25 |
4 |
130 |
0.006 |
- |
19 |
470 |
175 |
TO-220 |
| SSF1006A |
SMD |
N |
326 |
100 |
20 |
- |
200 |
0.0055 |
108 |
15.6 |
350 |
175 |
D2PAK |