Транзистор NCE2012
NCE2012 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOP-8
- SMD-код: 2012
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.2 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 12 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.011 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 42 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 25 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 2000 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор NCE2012 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| STL105NS3LLH7 |
SMD |
N |
4 |
30 |
20 |
1.2 |
27 |
0.0039 |
13.7 |
10.4 |
640 |
150 |
PowerFLAT5X6 |