Транзистор NDD04N60Z
NDD04N60Z - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 83 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.8 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 19 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор NDD04N60Z можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| HFD6N60U |
SMD |
N |
95 |
600 |
30 |
4.5 |
4.8 |
1.66 |
16 |
40 |
80 |
150 |
DPAK |
| HFP6N60U |
PTH |
N |
150 |
600 |
30 |
4.5 |
6 |
1.66 |
16 |
40 |
80 |
150 |
TO-220 |
| KF6N70I |
PTH |
N |
119 |
700 |
30 |
4.5 |
5.2 |
1.65 |
19 |
32 |
91 |
150 |
IPAK |
| SRC7N65TC |
PTH |
N |
104.2 |
700 |
30 |
4.5 |
7 |
0.572 |
18.9 |
13.1 |
474 |
150 |
TO-220C |