Транзистор NDD05N50Z
NDD05N50Z - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 83 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 4.7 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.25 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 18.5 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор NDD05N50Z можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| SM5A24NSF |
PTH |
N |
138 |
500 |
30 |
4.5 |
10 |
0.54 |
17.5 |
26 |
460 |
150 |
TO-220 |
| SM5A24NSU |
SMD |
N |
138 |
500 |
30 |
4.5 |
10 |
0.54 |
17.5 |
26 |
460 |
150 |
TO-252 |
| SM5A24NSUB |
PTH |
N |
138 |
500 |
30 |
4.5 |
10 |
0.54 |
17.5 |
26 |
460 |
150 |
TO-251 |