Транзистор NDT2N60
NDT2N60 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 35 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 2 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 4.5 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 5 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 31 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор NDT2N60 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AP60N2R5J |
PTH |
N |
56.8 |
600 |
30 |
5 |
3.5 |
2.5 |
- |
5 |
27 |
150 |
TO-251 |
| CS2N60_A3H |
PTH |
N |
35 |
600 |
30 |
- |
2 |
4.5 |
- |
5 |
31 |
150 |
TO-251 |
| CS2N60_A4H |
SMD |
N |
35 |
600 |
30 |
- |
2 |
4.5 |
- |
5 |
31 |
150 |
TO-252 |
| CS2N60A3H |
PTH |
N |
35 |
600 |
30 |
4 |
2 |
4.5 |
8.5 |
5 |
31 |
150 |
TO-251 |
| CS2N60A4H |
SMD |
N |
35 |
600 |
30 |
4 |
2 |
4.5 |
8.5 |
5 |
31 |
150 |
TO-252 |
| NDT2N60P |
PTH |
N |
35 |
600 |
30 |
- |
2 |
4.5 |
- |
5 |
31 |
150 |
TO-251 |
| STB2N62K3 |
SMD |
N |
45 |
620 |
30 |
4.5 |
2.2 |
3.6 |
15 |
4.4 |
26 |
150 |
D2PAK |