Транзистор NDT50N03
NDT50N03 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 83 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 90 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0046 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 10 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 615 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор NDT50N03 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CSD18503KCS |
PTH |
N |
188 |
40 |
20 |
2.3 |
100 |
0.0045 |
15 |
5.3 |
480 |
175 |
TO-220 |
| CSD18532KCS |
PTH |
N |
250 |
60 |
20 |
2.2 |
100 |
0.0042 |
21 |
5.3 |
470 |
175 |
TO-220 |
| CSD18542KCS |
PTH |
N |
200 |
60 |
20 |
2.2 |
170 |
0.004 |
21 |
5 |
570 |
175 |
TO-220 |
| MTB04N03E3 |
PTH |
N |
107 |
30 |
20 |
- |
115 |
0.0038 |
50 |
10 |
432 |
175 |
TO-220AB |
| SQD100N04-3M6 |
SMD |
N |
136 |
40 |
20 |
3.5 |
100 |
0.0036 |
70 |
5 |
500 |
175 |
TO-252 |