Notice: session_start(): ps_files_cleanup_dir: opendir(/tmp) failed: Permission denied (13) in /home/c/ck59960/public_html/common.php on line 4

Warning: session_start(): Session cache limiter cannot be sent after headers have already been sent (output started at /home/c/ck59960/public_html/common.php:4) in /home/c/ck59960/public_html/common.php on line 4
Транзистор NTD20N06 полевой MOSFET, его характеристики

Справочник электронных компонентов

Транзистор NTD20N06

NTD20N06 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: DPAK

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 60 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 20 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.046 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 21.2 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор NTD20N06 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
BUK7Y25-60E	SMD	N	64	60	20	4	34	0.025	16.1	6	123	175	LFPAK56
BUK7Y28-75B	SMD	N	85	75	20	4	35.5	0.028	21.2	-	-	175	LFPAK
BUK7Y41-80E	SMD	N	64	80	20	4	25	0.041	16.4	6.6	101	175	LFPAK56
FDB3682	SMD	N	95	100	20	4	32	0.036	18.5	-	-	175	TO-263
FQB30N06TM	SMD	N	79	60	25	4	30	0.04	19	85	270	175	D2PAK
FQP30N06	PTH	N	79	60	25	4	30	0.04	19	-	-	175	TO-220
KDB3682	SMD	N	95	100	20	4	32	0.036	18.5	46	190	175	TO-263
MM68N06K	PTH	N	115	60	20	4	68	0.018	20	45.1	158	175	TO-220
PSMN015-60BS	SMD	N	86	60	20	4	50	0.034	20.9	13	169	175	D2PAK
PSMN015-60PS	PTH	N	86	60	20	4	50	0.0148	20.9	-	-	175	TO-220AB
PSMN017-60YS	SMD	N	74	60	20	4	44	0.0157	20	-	-	175	LFPAK
PSMN026-80YS	SMD	N	74	80	20	4	34	0.0275	20	-	-	175	LFPAK