Транзистор NTD4909N
NTD4909N - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 29.4 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.2 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 41 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.008 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 17.5 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор NTD4909N можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| PSMN6R0-30YLD |
SMD |
N |
47 |
30 |
20 |
2.2 |
66 |
0.006 |
13.7 |
16.2 |
587 |
175 |
LFPAK56 |
| PSMN6R1-30YLD |
SMD |
N |
47 |
30 |
20 |
2.2 |
66 |
0.006 |
14.2 |
11 |
605 |
175 |
LFPAK56 |
| PSMN7R5-30MLD |
SMD |
N |
45 |
30 |
20 |
2.2 |
57 |
0.0076 |
11.3 |
10.4 |
578 |
175 |
LFPAK33 |
| PSMN7R5-30YLD |
SMD |
N |
34 |
30 |
20 |
2.2 |
51 |
0.0075 |
11.3 |
10.4 |
578 |
175 |
LFPAK56 |