Справочник электронных компонентов

Транзистор NTD5806N

NTD5806N - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор NTD5806N можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
BUK7Y12-40E SMD N 65 40 20 4 52 0.012 15 7 176 175 LFPAK56
BUK9Y12-40E SMD N 65 40 10 2.1 52 0.01 9.8 13 169 175 LFPAK56
BUK9Y21-40E SMD N 45 40 10 2.1 33 0.017 7 9.7 105 175 LFPAK56
BUK9Y7R6-40E SMD N 95 40 10 2.1 79 0.006 16.4 20.9 260 175 LFPAK56
CSD18503KCS PTH N 188 40 20 2.3 100 0.0045 15 5.3 480 175 TO-220
CSD18504KCS PTH N 115 40 20 2.3 89 0.007 9.2 5.2 320 175 TO-220
CSD18533KCS PTH N 192 60 20 2.3 100 0.0063 14 4.8 300 175 TO-220
CSD18534KCS PTH N 107 60 20 2.3 100 0.0095 9.3 4.8 164 175 TO-220
CSD18537NKCS PTH N 94 60 20 3.5 50 0.014 14 3.2 136 175 TO-220
CSD19534KCS PTH N 118 100 20 3.4 54 0.0165 17.1 2 257 175 TO-220
FDD24AN06L_F085 SMD N 75 60 20 - 40 0.019 16 - - 175 TO-252
FDP150N10A_F102 PTH N 91 100 20 - 36 0.015 16.2 - - 175 TO-220
NVD5806N SMD N 40 40 20 2.5 33 0.019 17 93.7 130 175 DPAK
PSMN8R0-40BS SMD N 86 40 20 4 77 0.0076 17 4.7 327 175 D2PAK
SQJ848EP SMD N 68 40 20 2.5 47 0.0075 15 12 260 175 PowerPAKSO-8L