Транзистор NTD5865N
NTD5865N - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 44 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 34 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.014 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 23 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: -
Транзистор NTD5865N можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM50N06-15D |
SMD |
N |
50 |
60 |
20 |
1 |
51 |
0.013 |
20 |
11 |
101 |
175 |
TO-252 |
| BUK7514-60E |
PTH |
N |
96 |
60 |
20 |
4 |
58 |
0.013 |
22.9 |
9.2 |
197 |
175 |
TO-220AB |
| BUK7613-60E |
SMD |
N |
96 |
60 |
20 |
4 |
58 |
0.013 |
22.9 |
9.2 |
197 |
175 |
D2PAK |
| BUK7E13-60E |
PTH |
N |
96 |
60 |
20 |
4 |
58 |
0.013 |
22.9 |
9.2 |
197 |
175 |
I2PAK |
| CSD18532KCS |
PTH |
N |
250 |
60 |
20 |
2.2 |
100 |
0.0042 |
21 |
5.3 |
470 |
175 |
TO-220 |
| CSD18533KCS |
PTH |
N |
192 |
60 |
20 |
2.3 |
100 |
0.0063 |
14 |
4.8 |
300 |
175 |
TO-220 |
| CSD18534KCS |
PTH |
N |
107 |
60 |
20 |
2.3 |
100 |
0.0095 |
9.3 |
4.8 |
164 |
175 |
TO-220 |
| CSD18537NKCS |
PTH |
N |
94 |
60 |
20 |
3.5 |
50 |
0.014 |
14 |
3.2 |
136 |
175 |
TO-220 |
| CSD18542KCS |
PTH |
N |
200 |
60 |
20 |
2.2 |
170 |
0.004 |
21 |
5 |
570 |
175 |
TO-220 |
| FDB13AN06A0 |
SMD |
N |
115 |
60 |
20 |
4 |
62 |
0.0135 |
22 |
- |
- |
175 |
TO-263 |
| FDD13AN06A0 |
SMD |
N |
115 |
60 |
20 |
4 |
50 |
0.0135 |
22 |
- |
- |
175 |
TO-252 |
| PSMN011-60MS |
SMD |
N |
91 |
60 |
20 |
4 |
61 |
0.0113 |
23 |
8.46 |
191 |
175 |
LFPAK33 |
| PSMN014-60LS |
SMD |
N |
65 |
60 |
20 |
4 |
40 |
0.014 |
19.6 |
- |
- |
150 |
SOT-873-1 |