Транзистор NTGS5120P
NTGS5120P - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TSOP-6
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.4 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 2.9 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.072 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 18.1 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: -
Транзистор NTGS5120P можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM7461P |
SMD |
P |
5 |
60 |
20 |
1 |
10 |
0.045 |
15.3 |
12 |
- |
150 |
SOIC-8PP |
| HAT2256R |
SMD |
P |
2 |
60 |
20 |
- |
8 |
0.041 |
10 |
5 |
1210 |
150 |
SOP-8 |
| QM6003S |
SMD |
P |
3.5 |
60 |
20 |
2.5 |
5.7 |
0.06 |
9.86 |
18 |
97.3 |
150 |
SOP-8 |
| SQ7415EN |
SMD |
P |
1.5 |
60 |
20 |
3 |
3.6 |
0.065 |
15 |
12 |
- |
175 |
PowerPAK1212-8 |