Транзистор NTLJS2103P
NTLJS2103P - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: WDFN6
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.9 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 12 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 8 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 7.7 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.025 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 12.8 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: -
Транзистор NTLJS2103P можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM4835EP |
SMD |
P |
3.1 |
30 |
25 |
3 |
9.5 |
0.019 |
12.8 |
12 |
- |
150 |
SOIC-8 |
| AM7341P |
SMD |
P |
3.5 |
40 |
20 |
1 |
12 |
0.019 |
10 |
10 |
- |
150 |
DFN3X3-8L |
| HAT2199R |
SMD |
P |
2 |
30 |
20 |
- |
11 |
0.025 |
7.5 |
16 |
1060 |
150 |
SOP-8 |