Транзистор NTMFS4833NS
NTMFS4833NS - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8FL
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.31 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 26 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0022 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 36 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: -
Транзистор NTMFS4833NS можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AP1002BMX |
SMD |
N |
2.8 |
30 |
20 |
- |
32 |
0.0018 |
29 |
90 |
1000 |
150 |
GreenFET |
| CSD17556Q5B |
SMD |
N |
3.1 |
30 |
20 |
1.65 |
34 |
0.0014 |
30 |
26 |
1770 |
150 |
SON5X6 |
| CSD17576Q5B |
SMD |
N |
3.1 |
30 |
20 |
1.8 |
30 |
0.002 |
25 |
16 |
389 |
150 |
SON5X6 |
| CSD18540Q5B |
SMD |
N |
3.1 |
60 |
20 |
2.3 |
28 |
0.0022 |
20 |
9 |
622 |
150 |
SON5X6 |
| IRFH5302 |
SMD |
N |
3.6 |
30 |
20 |
- |
32 |
0.0021 |
29 |
- |
- |
150 |
PQFN5X6 |
| IRFH8311 |
SMD |
N |
3.6 |
30 |
20 |
2.35 |
32 |
0.0021 |
30 |
26 |
1065 |
150 |
PQFN5X6 |
| NTMFS4934N |
SMD |
N |
2.72 |
30 |
20 |
- |
29.1 |
0.002 |
34 |
- |
- |
- |
SO-8FL |
| NVMFS4C03N |
SMD |
N |
3.71 |
30 |
20 |
2.2 |
31.4 |
0.0021 |
20.8 |
32 |
1673 |
175 |
SO-8FL |
| STL160NS3LLH7 |
SMD |
N |
4 |
30 |
20 |
2.3 |
36 |
0.0021 |
20 |
21.3 |
970 |
150 |
PowerFLAT5X6 |