Транзистор NTMFS4936N
NTMFS4936N - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8FL
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.62 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 19.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.004 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 19 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: -
Транзистор NTMFS4936N можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CSD17501Q5A |
SMD |
N |
3.2 |
30 |
20 |
1.8 |
28 |
0.0029 |
13.2 |
17 |
1350 |
150 |
SON5X6 |
| CSD17505Q5A |
SMD |
N |
3.2 |
30 |
20 |
1.8 |
24 |
0.0035 |
10 |
11.5 |
1030 |
150 |
SON5X6 |
| CSD17506Q5A |
SMD |
N |
3.2 |
30 |
20 |
1.8 |
23 |
0.004 |
8.3 |
13 |
860 |
150 |
SON5X6 |
| CSD17553Q5A |
SMD |
N |
3.1 |
30 |
20 |
1.9 |
23.5 |
0.0031 |
17.5 |
17 |
635 |
150 |
SON5X6 |
| IRFH8318PBF |
SMD |
N |
3.6 |
30 |
20 |
2.35 |
27 |
0.0031 |
19 |
33 |
700 |
150 |
PQFN5X6 |
| IRFHM830PBF |
SMD |
N |
2.7 |
30 |
20 |
2.35 |
21 |
0.0038 |
15 |
25 |
350 |
150 |
PQFN3.3X3.3 |
| NVMFS4C05N |
SMD |
N |
3.61 |
30 |
20 |
2.2 |
24.7 |
0.0034 |
14 |
32 |
1215 |
175 |
SO-8FL |
| NVTFS4C05N |
SMD |
N |
3.2 |
30 |
20 |
2.2 |
22 |
0.0036 |
14.5 |
30 |
1224 |
175 |
WDFN8 |
| STL105NS3LLH7 |
SMD |
N |
4 |
30 |
20 |
1.2 |
27 |
0.0039 |
13.7 |
10.4 |
640 |
150 |
PowerFLAT5X6 |
| STL110NS3LLH7 |
SMD |
N |
4 |
30 |
20 |
2.3 |
28 |
0.0034 |
13.7 |
10.4 |
640 |
150 |
PowerFLAT5X6 |
| STL23NS3LLH7 |
SMD |
N |
2.9 |
30 |
20 |
2.3 |
23 |
0.0037 |
13.7 |
33 |
850 |
150 |
PowerFLAT3.3X3.3 |
| STS20N3LLH6 |
SMD |
N |
2.7 |
30 |
20 |
1 |
20 |
0.004 |
17 |
- |
- |
150 |
SO-8 |