Транзистор NTTFS5811NL
NTTFS5811NL - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: WDFN8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.7 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 40 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 17 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0067 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 31 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: -
Транзистор NTTFS5811NL можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM7340N |
SMD |
N |
3.5 |
40 |
20 |
1 |
21 |
0.0055 |
30 |
10 |
- |
150 |
DFN3X3-8L |
| CSD18501Q5A |
SMD |
N |
3.1 |
40 |
20 |
2.3 |
22 |
0.0032 |
20 |
10 |
725 |
150 |
SON5X6 |
| CSD18502Q5B |
SMD |
N |
3.2 |
40 |
20 |
2.2 |
26 |
0.0023 |
25 |
6.8 |
900 |
150 |
SON5X6 |
| CSD18503Q5A |
SMD |
N |
3.1 |
40 |
20 |
2.3 |
19 |
0.0043 |
13 |
8.8 |
510 |
150 |
SON5X6 |
| CSD18531Q5A |
SMD |
N |
3.1 |
60 |
20 |
2.3 |
19 |
0.0046 |
18 |
7.8 |
380 |
150 |
SON5X6 |
| CSD18533Q5A |
SMD |
N |
3.2 |
60 |
20 |
2.3 |
17 |
0.0059 |
14 |
5.5 |
292 |
150 |
SON5X6 |
| CSD18540Q5B |
SMD |
N |
3.1 |
60 |
20 |
2.3 |
28 |
0.0022 |
20 |
9 |
622 |
150 |
SON5X6 |
| NVMFS5832NL |
SMD |
N |
3.7 |
40 |
20 |
2.4 |
21 |
0.0042 |
25 |
24 |
360 |
175 |
SO-8FL |
| NVMFS5C423NL |
SMD |
N |
3.7 |
40 |
20 |
2 |
31 |
0.003 |
23 |
72 |
1300 |
175 |
DFN5X6 |
| NVMFS5C646NL |
SMD |
N |
3.7 |
60 |
20 |
2 |
20 |
0.0047 |
15.7 |
14.9 |
900 |
175 |
DFN5X6 |
| NVMFS5C670NL |
SMD |
N |
3.6 |
60 |
20 |
2 |
17 |
0.0061 |
9 |
60 |
690 |
175 |
DFN5X6 |
| NVTFS5811NL |
SMD |
N |
21 |
40 |
20 |
- |
40 |
0.0067 |
30 |
- |
- |
- |
WDFN8 |
| RS1G300GN |
SMD |
N |
3 |
40 |
20 |
2.5 |
30 |
0.0025 |
28.6 |
19.8 |
680 |
150 |
HSOP8 |