Транзистор NVB5860N
NVB5860N - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: D2PAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 283 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 220 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.003 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 180 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 117 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1125 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор NVB5860N можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IRFS3107-7PPBF |
SMD |
N |
370 |
75 |
20 |
4 |
240 |
0.0026 |
160 |
80 |
850 |
175 |
TO-263-CA7 |