Справочник электронных компонентов

Транзистор NVB60N06

NVB60N06 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: D2PAK

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 150 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 60 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.014 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 62 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 180.7 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 660 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор NVB60N06 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AOT474	PTH	N	417	75	20	4	127	0.0113	49.6	34	507	175	TO-220
BUK766R0-60E	SMD	N	182	60	20	4	75	0.006	62	36	447	175	D2PAK
BUK769R6-80E	SMD	N	182	80	20	4	75	0.0096	59.8	32.7	356	175	D2PAK
BUK7Y6R0-60E	SMD	N	195	60	20	4	100	0.006	45.4	19	392	175	LFPAK56
BUK7Y7R2-60E	SMD	N	167	60	20	4	100	0.0072	50.8	18.3	351	175	LFPAK56
MM109N06K	PTH	N	150	60	20	4	109	0.008	50	43	435	175	TO-220
PSMN6R5-80BS	SMD	N	210	80	20	4	100	0.0069	61	24	410	175	D2PAK
PSMN7R6-60BS	SMD	N	149	60	20	4	92	0.0078	38.7	21	342	175	D2PAK
PSMN8R7-80BS	SMD	N	170	80	20	4	90	0.0087	44	26	296	175	D2PAK
ST75N75	PTH	N	200	75	20	4	93	0.011	30	36	540	175	TO-220
STP130N10F3	PTH	N	250	100	20	4	120	0.0096	57	38	373	175	TO-220