Транзистор NVB6412AN
NVB6412AN - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: D2PAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 167 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 58 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0182 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 73 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 140 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 400 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор NVB6412AN можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| BUK7613-100E |
SMD |
N |
182 |
100 |
20 |
4 |
72 |
0.013 |
69.4 |
34 |
327 |
175 |
D2PAK |
| BUK7Y12-100E |
SMD |
N |
238 |
100 |
20 |
4 |
85 |
0.012 |
68 |
18 |
349 |
175 |
LFPAK56 |
| BUK7Y15-100E |
SMD |
N |
195 |
100 |
20 |
4 |
68 |
0.015 |
54.5 |
21 |
283 |
175 |
LFPAK56 |
| PSMN9R5-100BS |
SMD |
N |
211 |
100 |
20 |
4 |
89 |
0.0096 |
67 |
25.2 |
302 |
175 |
D2PAK |
| STP130N10F3 |
PTH |
N |
250 |
100 |
20 |
4 |
120 |
0.0096 |
57 |
38 |
373 |
175 |
TO-220 |