Транзистор NVD4C05N

NVD4C05N - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: DPAK

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 57 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.2 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 90 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0041 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 31 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 107 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 725 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор NVD4C05N можно заменить на:

Нет элементов для замены