Транзистор NVD5890N
NVD5890N - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 107 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 40 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 123 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0037 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 74 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: -
Транзистор NVD5890N можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AOB266L |
SMD |
N |
268 |
60 |
20 |
3.2 |
140 |
0.0032 |
65 |
20 |
720 |
175 |
TO-263 |
| AOT266L |
PTH |
N |
268 |
60 |
20 |
3.2 |
140 |
0.0035 |
65 |
20 |
720 |
175 |
TO-220 |
| AP0103GP-HF |
PTH |
N |
250 |
40 |
20 |
- |
220 |
0.00299 |
30 |
80 |
605 |
150 |
TO-220 |
| CSD18535KCS |
PTH |
N |
300 |
60 |
20 |
2.4 |
200 |
0.002 |
63 |
3 |
890 |
175 |
TO-220 |
| NVD5890NT4G |
SMD |
N |
107 |
40 |
20 |
3.5 |
123 |
0.0037 |
74 |
55 |
785 |
175 |
DPAK |