Транзистор NVE4153N
NVE4153N - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SC-89
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.3 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 6 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.1 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.915 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.23 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 1.82 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 4.4 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 16 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор NVE4153N можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| NVA4153N |
SMD |
N |
0.3 |
20 |
6 |
1.1 |
0.915 |
0.23 |
1.82 |
4.4 |
16 |
150 |
SOT-416 |