Транзистор NVGS3130N

NVGS3130N - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: TSOP-6

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.1 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 8 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.4 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 5.6 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.024 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 13.2 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 7.3 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 169 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор NVGS3130N можно заменить на:

Нет элементов для замены